快科技7月28日音讯，跟着半导体工艺深入到5nm以下，制造难度与老本突飞猛进，摩尔定律的物理极限大要在1nm驾驭，再往下就要濒临严重的量子隧穿艰辛，导致晶体管失效。

虽然，各大厂商的先进工艺在本色尺寸上齐是有水分的，是以纸面瞻仰上的1nm工艺如故会有的，台积电客岁就组建团队研发1.4nm工艺，日前CEO刘德音又暗意也曾在探索比1.4nm更先进的工艺了。

经济参考报记者 姜婷婷 北京报道 

1.4nm再往下等于1nm工艺了，这亦然半导体行业齐在追求的工艺，客岁IMEC欧洲微电子中心公布的道路图长远，2nm工艺之后是14A，也等于1.4nm工艺，预测2026年问世，再往后等于A10工艺，也等于1nm，2028年问世。

虽然，本色能量产的时刻可能回比2028年晚一些，毕竟新时候不跳票是不成能的。

与此同期，在2nm节点之后的新工艺研发坐蓐中，EUV光刻机也要大升级一次，ASML预测会在2026年推出High NA时候的下一代EUV光刻机EXE:5000系列，将NA策画从刻下的0.33进步到0.55，进一步进步光刻永诀率。

然而下一代EUV光刻机的代价也很高，售价会从现在1.5亿好意思元进步到4亿好意思元以上，最终价钱可能还要涨，30亿一台诞生很锤真金不怕火厂商的老本铁心。